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Les amplificateurs différentiels - Structure à transistors à effet de champ

Electronique

Index de l'article

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Structure à transistors à effet de champ

Montage

Schéma équivalent en petit signaux

Détermination des grandeurs caractéristiques

V_s1 = -g_mV_gs1.R_D (1)
V_s2 = -g_mV_gs2R_D (2)
V_e1 = V_ge1+R_si_s (3)
V_e2 = V_gs2+R_si_s (4)

(3)-(4) → V_e1-V_e2 = V_gs1-V_gs2
(1)-(2) → V_s1-V_s2 = -g_mR_D(V_gs1-V_gs2)

La tension différentielle de sortie est:
V_s1-V_s2 = As(V_gs1-V_gs2) + A_c½(V_gs1+V_gs2) + V_s0

Par identification:

Dans un exercice on peut nous demander de déterminer de la polarisation du transistor bipolaire ou à effet de champ. Dans ce cas on travail en statique en ignorant les grandeurs sinusoïdales d'entrée V_e1 et V_e2
V_e1(t) = R_gi_e(t) + e₁(t)
V_e2(t) = R_gi_e(t) + e₂(t)
V_e1(t) = e₁(t)
V_e2(t) = e₂(t)
Il faut bien distinguer la différence entre tension différentielle de sortie V_s1-V_s2 avec les tension simple de sortie V_s1 et V_s2

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